Magnachip Ra Mắt BatteryFET 24V Mới để Bảo Vệ Pin Điện Thoại Thông Minh Gập Ba
– Đạt được mức giảm 26% kích thước chip và cải thiện 31% Rss(on) dựa trên công nghệ Super-Short Channel FET
– Mở rộng các giải pháp bảo vệ pin cho nhiều thiết bị di động.
SEOUL, Hàn Quốc–(BUSINESS WIRE)–#BatteryFET–Tập đoàn Magnachip Semiconductor (NYSE: MX, "Magnachip") hôm nay công bố ra mắt MXT LV MOSFET1 24V thế hệ thứ 7 mới được thiết kế đặc biệt cho mạch bảo vệ pin trong các smartphone gập ba thế hệ tiếp theo, tăng cường sự hiện diện của công ty trong thị trường smartphone gập cao cấp. Sản phẩm hiện đã được sản xuất hàng loạt và đang được cung cấp cho một nhà sản xuất smartphone toàn cầu lớn, đã chứng minh được hiệu suất và độ tin cậy đã được kiểm chứng.
MOSFET kênh N kép 24V mới được giới thiệu (MDWC24D058ERH) kết hợp công nghệ Super-Short Channel FET (SSCFET®)2 độc quyền của Magnachip, giảm kích thước chip khoảng 26% so với phiên bản trước. Điều này cho phép các nhà sản xuất giảm diện tích của bảng mạch bảo vệ pin (PCM) hơn 20%, cho phép không gian tiết kiệm được sử dụng để tăng dung lượng pin hoặc thiết kế thiết bị mỏng hơn.
Smartphone gập ba có dạng thiết kế mới gập hai lần và vận hành ba màn hình đồng thời, cho phép đa nhiệm hiệu suất cao. Do đó, cấu trúc bên trong của chúng trở nên phức tạp hơn, tiết kiệm năng lượng và đáng tin cậy hơn, đồng thời cũng ngày càng trở nên quan trọng trong thiết kế. Theo đó, các thiết bị này đòi hỏi các giải pháp MOSFET tích hợp cao và hiệu quả để quản lý cấu trúc bên trong phức tạp trong khi đảm bảo sự ổn định nguồn điện.
Ngoài smartphone gập ba, sản phẩm mới có thể được áp dụng trên nhiều ứng dụng di động, bao gồm thiết bị đeo và máy tính bảng. Nó giảm RSS(on), một nguồn thất thoát năng lượng chính, lên tới khoảng 31%, giúp giảm tỏa nhiệt. Sản phẩm mới cũng cải thiện mật độ dòng điện trên một đơn vị diện tích khoảng 48% so với các quy trình trench thông thường, hỗ trợ kiểm soát điện áp ổn định trong điều kiện dòng điện cao. Ngoài ra, nó tích hợp bảo vệ phóng tĩnh điện (ESD) hơn 2kV, giúp bảo vệ hệ thống pin khỏi các nhiễu loạn bên ngoài.
Theo công ty nghiên cứu thị trường Omdia, thị trường MOSFET công suất silicon dưới 40V, bao gồm batteryFET cho smartphone, dự kiến sẽ tăng từ khoảng 4,2 tỷ đô la vào năm 2025 lên khoảng 5,2 tỷ đô la vào năm 2029, tương đương tỷ lệ tăng trưởng kép hàng năm khoảng 4,6%. Trong thị trường này, phân khúc smartphone cao cấp, bao gồm smartphone gập ba, dự kiến sẽ thúc đẩy tăng trưởng, được hỗ trợ bởi nhu cầu ngày càng tăng đối với các linh kiện hiệu suất cao và hiệu quả cao.
"Smartphone gập ba đại diện cho các thiết bị di động cao cấp đòi hỏi công nghệ tiên tiến và độ tin cậy linh kiện vượt trội," Hyuk Woo, Chief Technology Officer（CTO） của Magnachip cho biết. "Thông qua việc cung cấp sản phẩm MOSFET mới này, chúng tôi một lần nữa đã chứng minh khả năng thiết kế bán dẫn công suất và khả năng cạnh tranh công nghệ của Magnachip. Tiến về phía trước, chúng tôi sẽ tiếp tục mở rộng danh mục bán dẫn công suất cho nhiều ứng dụng di động, bao gồm smartphone, thiết bị đeo và máy tính bảng, thông qua đổi mới liên tục."
Liên kết liên quan
Giải pháp nguồn > MXT MOSFETs > 24V
Bài viết liên quan
Magnachip mở rộng sản xuất MXT LV MOSFETs thế hệ thứ 7 dựa trên công nghệ Super Short Channel FET
Magnachip công bố MXT LV MOSFET thế hệ thứ 8 đầu tiên được thiết kế với Super-Short Channel FET II
Về Magnachip Semiconductor
Magnachip là nhà thiết kế và sản xuất các giải pháp nền tảng bán dẫn công suất tương tự và tín hiệu hỗn hợp cho các ứng dụng khác nhau, bao gồm công nghiệp, ô tô, truyền thông, tiêu dùng và máy tính. Công ty cung cấp nhiều sản phẩm tiêu chuẩn cho khách hàng trên toàn thế giới. Magnachip, với khoảng 45 năm lịch sử hoạt động, sở hữu một số lượng lớn bằng sáng chế đã đăng ký và đơn đăng ký đang chờ xử lý, và có chuyên môn rộng rãi về kỹ thuật, thiết kế và quy trình sản xuất. Để biết thêm thông tin, vui lòng truy cập www.magnachip.com. Thông tin trên hoặc có thể truy cập thông qua trang web của Magnachip không phải là một phần của, và không được tích hợp vào, thông cáo này.
|
1 MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): Dòng sản phẩm MOSFET điện áp thấp của Magnachip dưới 30V dựa trên công nghệ quy trình trench mới nhất. |
|
|
2 SSCFET®(Super-Short Channel FET): Công nghệ thiết kế MOSFET của Magnachip áp dụng cấu trúc chiều dài kênh tối thiểu hóa để đạt được điện trở thấp và khả năng dòng điện cao. |
|
Liên hệ
Mike Bishop
United States (Quan hệ Nhà đầu tư)
Bishop IR, LLC
Tel. +1-415-891-9633
mike@bishopir.com
Kyeongah Cho
Global Marketing Communication
Magnachip Semiconductor
Tel. +82-2-6903-3179
pr@magnachip.com
Có thể bạn cũng thích
Cổ phiếu crypto tăng mạnh khi phát biểu ủng hộ tiền điện tử của Trump thúc đẩy thị trường
RIVER dẫn đầu đà tăng của tiền điện tử với mức tăng 34% – Động lượng mạnh mẽ nhưng ngưỡng kháng cự đang chờ phía trước
