在首尔举行的2025年SK AI峰会上,SK集团重申了其扩大高带宽存储器(HBM)芯片能力的承诺。
作为该集团旗舰半导体部门的SK海力士宣布计划明年在韩国清州的新HBM设施开始运营。这一举措是对AI计算能力需求爆炸性增长的直接回应,这种需求已远远超过了可用供应。
崔泰源会长在峰会上强调,公司的战略正从纯粹的规模转向运营效率和智能生产,旨在管理伴随AI基础设施快速扩张而来的技术和经济挑战。
崔会长强调,提供更强大AI芯片的竞争正日益受到制造瓶颈和材料短缺的限制,尤其是在HBM领域。虽然对超高带宽存储器的需求持续飙升,但生产仍受到长交货周期和不可预测的客户订单的阻碍。
为解决这些问题,SK海力士正在推行"智能效率"模式,这是一个通过AI驱动自动化来优化设计、生产和物流的系统性升级。该公司还与英伟达合作,整合先进的数字制造平台,以简化工作流程,减少错误率,提高产量。
即将在清州建设的HBM工厂将由预计于2027年完成的大规模存储器生产集群补充。该网络将与韩国龙仁和美国印第安纳州的新设施并行运营,标志着SK海力士迄今为止最雄心勃勃的扩张计划。
该集群将支持HBM4(第四代高带宽存储器)的大规模生产,SK海力士已于2025年9月完成了其开发。大规模生产计划于2025年第四季度开始,利用尖端的MR-MUF封装技术,这是一种在提高可靠性的同时减少缺陷的存储芯片堆叠工艺。
SK海力士已经占据全球HBM市场约62%的份额,新设施预计将巩固其在AI级存储解决方案领域的领导地位,同时缓解英伟达、AMD和其他主要超大规模客户的供应压力。
除了芯片外,SK集团的AI雄心还延伸到数据中心和能源效率。作为集团的另一家附属公司,SK电讯公布了扩展其AI数据中心运营的新计划,同时与其他SK公司合作设计能源优化设施。
韩国新兴的数据基础设施格局包括一个计划于2025年动工的3千兆瓦AI数据中心项目,以及一个由贝莱德支持的超大规模中心和与OpenAI在基础设施开发方面的潜在合作。这些项目强调先进的冷却技术,如液体和浸没式冷却,以及更智能的电力分配系统,以处理波动的AI工作负载。
SK海力士的芯片生产与SK电讯的AI基础设施战略的一致性凸显了该集团对AI经济的综合方法,将硬件、数据和可持续性整合在一个创新旗帜下。
这篇文章《SK海力士将在AI需求飙升之际推出新的HBM芯片设施》首次发表于CoinCentral。


