三星宣布率先量產HBM4記憶體，強調量產初期就有領先的良率與性能

2026年隨著NVIDIA、AMD都將推出新一代AI加速運算架構，也是各大高速記憶體廠商相互競爭的時間點；三星先聲奪人，宣布成為全球首家量產HBM4記憶體的公司，強調從量產就確保穩定的良率與領先性能，三星預估透過一站式的高性能記憶體解決方案，有望於2026年始HBM記憶體銷售增長3倍以上。

三星強調其HBM4打破過去採用相對成熟製程的慣例，採用1c DRAM與4nm製程等在記憶體領先技術，使三星的HBM4具有出色的性能與良好的能源效率；此外三星HBM4的性能亦超越JEDEC標準8Gbps規格46%，達到11.7Gbps性能。

三星強調現階段HBM4相對現行HBM3E極限值9.6Gbps約提高1.22倍性能，後續還可達到最高13Gbps性能，可協助解決AI模型增加導致的資料瓶頸；此外三星透過單一堆疊將總記憶體頻寬提升至3.3TB/s，除了比HBM3E提高2.7倍，也超過客戶要求的3.0TB/s頻寬。

另外三星藉由將針腳自1,024個提昇至2,048個，在頻寬增加的同時減少能耗與發熱問題；此外透過TSV矽穿孔資料傳輸、接收低壓設計與最佳化配電網路，相較HBM3E產品提高40%能源效率，熱阻特性提高10%、提升30%散熱特性。

三星的HBM4為單一3GB容量(24Gb)，將透過8層至12層堆疊實現24GB至36GB容量，後續計畫根據客戶的產品規畫，進一步利用16層堆疊實現48GB的容量。另外，三星也預告2026年下半年將提交HBM4E樣品，同時於2027年針對客戶需求提供客製化HBM樣品。