日本川崎–(BUSINESS WIRE)–Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(「Toshiba」)推出CMOS雙比較器「TC75W71FU」。該產品具備高速響應和全輸入/輸出範圍(Rail to Rail)特性,適合用於工業設備的過電流檢測[1]。產品今日開始出貨。
現今工業設備在馬達驅動和電源電路中使用大電流。這帶來突發過電流的風險,可能損壞設備、導致生產線停機,甚至降低安全性;快速檢測和保護至關重要。在持續追求更高效率和產品小型化的過程中,電路能支援的電流和電壓範圍縮小了,即使輕微的過電流也會對電路造成顯著負載。這增加了對更快速、更精確的過電流檢測技術的需求。
新產品相較於現有的TC75W56FU,提供更快的傳播延遲時間,低電位至高電位轉換最大為45ns,高電位至低電位轉換最大為30ns[2]。這使得設備能在過電流時立即關閉,提升操作安全性。
輸入/輸出電壓範圍支援全範圍—從最小值(GND)到最大值(Vcc)供電電壓的運作—使設計更容易。最小工作供電電壓為1.8V,支援低電壓運作。由於新比較器還具備推挽輸出[3],訊號上升和下降時間快速,不需要外部上拉電阻,並能維持穩定的電壓位準。
除了TC75W71FU,還有TC75W72FU具備增強的遲滯功能以提升抗雜訊能力,以及TC75W73FU[4]提供遲滯和開漏輸出[5],能夠向與比較器供電不同的電壓域發送訊號,預計於2026年2月開始量產。
Toshiba將持續開發有助於提升工業設備安全性和可靠性的比較器,並擴展產品陣容以滿足廣泛的客戶需求。
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註: | |
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[1] |
工業機器人、發電機、不斷電系統(UPS)、變壓器等。 |
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[2] |
現有產品TC75W56FU的傳播延遲時間:在VDD=3V的測量條件下,低電位至高電位典型值為550ns,高電位至低電位典型值為250ns。 |
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[3] |
推挽輸出:輸出電路包含兩個電晶體的配置,一個位於電路頂部,另一個位於底部,主動驅動高電位和低電位。 |
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[4] |
在VDD=3.3V的測量條件下,傳播延遲時間僅為30ns(高電位至低電位)。 |
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[5] |
開漏輸出:輸出電路僅包含下方電晶體的配置,主動驅動低電位。 |
應用
特點
主要規格
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料號 |
TC75W71FU |
TC75W72FU[6] |
TC75W73FU[6] | ||
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封裝名稱 |
SOT-505 | ||||
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工作額定值 |
供電電壓 VDD (V) |
1.8 to 5.5 | |||
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DC特性 |
供電電流 IDD (μA) |
典型值 |
276 | ||
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輸入偏移電壓 VDD=1.8V, VSS<VIN<VDD, Ta=25°C |
最大值 |
17 | |||
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輸入遲滯電壓 VIN=VSS, VDD=1.8V, Ta=25°C |
典型值 |
- |
3.5 | ||
|
低電位至高電位、100 mV過驅動 VDD=3.3V, Ta=25°C |
典型值 |
23 |
- | ||
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最大值 |
45 |
- | |||
|
高電位至低電位、100 mV過驅動 VDD=3.3V, Ta=25°C |
典型值 |
14 |
11 | ||
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最大值 |
30 |
30 | |||
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輸出類型 |
推挽 |
開漏 | |||
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輸入和輸出全範圍 |
Rail to Rail I/O | ||||
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樣品查詢與供貨情況 |
線上購買 |
- |
- | ||
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註: | |
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[6] |
預計於2026年2月開始量產。 |
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